DENSO desarrolla su primer inversor utilizando semiconductores de potencia SiC

– Los chips de carburo de silicio altamente eficientes reducen significativamente la pérdida de energía en los vehículos eléctricos –

KARIYA, Japón (31 de marzo de 2023) – DENSO CORPORATION, un proveedor líder de movilidad, anunció que ha desarrollado su primer inversor con semiconductores de carburo de silicio (SiC). Este inversor, que está incorporado en el eAxle, un módulo de conducción eléctrica desarrollado por BluE Nexus Corporation, se utilizará en el nuevo Lexus RZ, el primer modelo de vehículo eléctrico con batería dedicada (BEV) del fabricante de automóviles y lanzado el 30 de marzo.

Los semiconductores de potencia de SiC consisten en silicio y carbono que reducen significativamente la pérdida de potencia en comparación con los semiconductores de potencia de silicio (Si). Una prueba de crucero realizada en condiciones específicas por BEV utilizando inversores de semiconductores de SiC demostró que los inversores con semiconductores de potencia de SiC reducen la pérdida de potencia en menos de la mitad que los que tienen semiconductores de Si. Como resultado, se mejora la eficiencia energética de los BEV y se amplía la autonomía.

Los elementos clave del desarrollo del nuevo inversor• Los semiconductores de potencia de SiC con la exclusiva estructura de semiconductor de óxido de metal (MOS) tipo trinchera de DENSO*1 mejoran la salida por chip ya que reducen la pérdida de potencia causada por el calor generado. La estructura única logró un funcionamiento de alto voltaje y baja resistencia*2.

Elementos clave de la fabricación del nuevo inversor• Basado en la tecnología de alta calidad desarrollada conjuntamente por DENSO y Toyota Central R&D Labs., Inc., DENSO utiliza obleas epitaxiales de SiC*3 que incorporan los resultados del trabajo encargado por New Energy and Industrial Technology Development Organización (NEDO). Como resultado, DENSO ha reducido a la mitad el número de defectos del cristal que impiden que el dispositivo funcione con normalidad debido al desorden de la disposición atómica del cristal.• Al reducir los defectos del cristal, la calidad de los dispositivos semiconductores de potencia de SiC utilizados en vehículos y su estabilidad la producción está asegurada.

DENSO llama a su tecnología SiC "REVOSIC®" y la utiliza para desarrollar de manera integral tecnologías para productos que van desde obleas hasta dispositivos semiconductores y módulos como tarjetas de alimentación. DENSO contribuirá a la realización de una sociedad neutral en carbono a través del desarrollo dirigido a gestión de energía para vehículos, al mismo tiempo que utiliza la subvención del Fondo de Innovación Verde (Fondo GI) *4, que se adoptó en 2022.

*1 Estructura MOS tipo trinchera única de DENSO: Dispositivos semiconductores con una compuerta de trinchera que utilizan la tecnología de relajación de campo eléctrico patentada de DENSO.*2 Resistencia activada: Una medida de la facilidad del flujo de corriente; cuanto menor sea el valor, menor será la pérdida de energía.*3 Obleas epitaxiales de SiC: obleas monocristalinas de SiC con una capa delgada de crecimiento epitaxial de SiC.*4 Fondo de Innovación Verde (Fondo GI): El Fondo GI fue creado por el Ministerio de Economía, Comercio e Industria. (METI) y asignado a NEDO con el objetivo de lograr la neutralidad de carbono para 2050. DENSO ha sido seleccionado para recibir subsidios para un proyecto para desarrollar tecnología de fabricación para dispositivos semiconductores de potencia de próxima generación (para vehículos eléctricos).

Fotos del producto

Inversor

Tarjeta de poder

【Referencia】Para obtener más detalles de REVOSIC®, visite:https://www.denso.com/global/en/news/newsroom/2020/20201210-g01/